Asban Dolah, <br/><br/>
Kesan sepuhlindap ke atas ciri elektrik sentuhan Ohmik dan Schottky untuk peranti transistor elektron berkelincahan tinggi (HEMTs) / 
Asban Dolah. 
 - xiv, 127 pages,  charts, illustrations, samples ;  30 cm. 
<br/><br/>Tesis (Sarjana Sains) - Universiti Kebangsaan Malaysia, 2015. 
<br/><br/>Rujukan : mukasurat [93]-100. 
<br/><br/><label>Subjects--Corporate Names: </label><br/>Universiti Kebangsaan Malaysia--Dissertations.
<br/><br/><label>Subjects--Topical Terms: </label><br/>Metal semiconductor field-effect transistors.<br/>Gallium arsenide semiconductors.<br/>Dissertations, Academic--Malaysia.