Khairul Nisha Mohd. Kharuddin <br/><br/>
Kajian tentang ciri-ciri elektrik transistor elektron kelincahan tinggi pseudomorfik (PHEMT) dalam regim nano / 
Khairul Nisha bt. Mohd. Kharuddin 
 - Bangi :  Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan Malaysia,  2006 
 - xv, 139 p. :  charts. ;  30 cm. 
<br/><br/>Tesis (Sarjana Sains) - Universiti Kebangsaan Malaysia, 2006 
<br/><br/>Rujukan : p. [121]-128 
<br/><br/><label>Subjects--Corporate Names: </label><br/>Universiti Kebangsaan Malaysia--Dissertations
<br/><br/><label>Subjects--Topical Terms: </label><br/>Dissertations, Academic--Malaysia<br/>Field-effect transistors<br/>Heterojunctions<br/>Nanostructures